高纯砷化镓单晶片 半绝缘/本征/N型/P型 GaAs晶圆 单双面抛光 <100><111>晶向 高频射频LED激光外延衬底 科研实验可定制尺寸 一、产品简介 本款砷化镓（GaAs）单晶片采用VGF垂直梯度凝固法主流工艺生长原生单晶锭，经精密线切、双面研磨、CMP化学机械抛光精制而成，遵循半导体行业高端生产标准，品相均匀、缺陷率低、电学性能稳定性极强。作为核心的III-V族直接带隙化合物半导体材料，砷化镓具备电子迁移率高、高频性能优异、发光效率好、耐高温、抗辐射等核心优势，是硅基材料无法替代的高频、光电器件核心基材，广泛应用于5G射频、红外激光、光电通信、LED照明、航天军工及高校科研实验领域。 产品全程无尘车间加工，严格管控位错密度、厚度公差与表面平整度，分科研实验级、工业量产级、高端外延级三大品级，可满足试样研发、小批量试制、规模化生产等全场景使用需求。 二、核心材质与工艺优势 生长工艺：采用行业主流VGF垂直梯度凝固法，相较于传统直拉法，晶体应力更小、位错密度更低、晶格均匀性更佳，适配高精度外延生长工艺 晶体结构：标准闪锌矿单晶结构，直接带隙半导体，光电转换效率优异，是发光器件、激光器件的核心基材 核心性能：禁带宽度1.43eV，常温电子迁移率远高于硅，高频低损耗、耐高温、抗干扰、耐辐射，适配高频微波、射频器件工况 加工工艺：精密切片、双面研磨、倒角防护、CMP镜面抛光，表面无划痕、无麻点、平整度高，可直接用于镀膜、外延、光刻工艺 三、核心规格参数（选购核心） 1、导电类型 & 掺杂特性（全品类现货） 半绝缘型 SI-GaAs（首选主流）：电阻率≥10⁷ Ω·cm，高阻绝缘、漏电极低，无寄生电容干扰，专为5G射频、微波器件、毫米波芯片、单片微波集成电路（MMIC）设计，是当下商用最广的品类 本征/非掺 GaAs：纯度高、电性均匀，无掺杂杂质，适用于红外光学窗口、特种探测器、基础材料科研实验 N型砷化镓（掺硅 Si）：电阻率可控，导电性能优异，主要用于高速光电探测器、光电阴极、高频晶体管、半导体功率器件 P型砷化镓（掺锌 Zn）：稳定P型导电，适配PN结制备、红外LED、激光二极管、光电子集成器件、太阳能电池衬底 2、标准晶向 主流现货晶向：<100>、<111>、<110>，定向精度±0.5°；支持定制2°/4°/6°/15°外延偏角晶向，适配各类外延生长工艺需求。 3、现货尺寸规格（方形片/圆形晶圆全覆盖） 方形单晶片（科研试样常用） 尺寸：5×5mm、10×10mm、15×15mm、20×20mm、25×25mm 厚度：0.2mm、0.35mm、0.5mm、1.0mm、2.0mm，厚度公差±20μm 圆形标准晶圆（工业量产常用） 尺寸：2英寸（50.8mm）、3英寸、4英寸、6英寸 常规厚度：350μm、500μm、625μm、650μm、700μm，厚度均匀性极佳 4、表面工艺可选 单抛（SSP）：单面镜面抛光、背面精细研磨，性价比高，适合试样测试、工艺调试、基础实验 双抛（DSP）：双面超镜面抛光，表面粗糙度极低，无划痕无缺陷，适配外延生长、光刻、镀膜、高精度器件制备 研磨毛坯片：双面磨砂未抛光，适合切割加工、定制打磨、低成本工艺试验 细节工艺：全系产品边缘精密倒边0.3-0.5mm，杜绝崩边、裂边，适配精密设备夹持与加工 四、产品核心优势 高频性能顶尖：电子迁移率是硅的6倍以上，高频低损耗、信号传输稳定，是射频开关、功放、滤波器的核心基材 光电性能优异：直接带隙结构，光电转换效率高，可制备红光、红外LED、激光二极管（LD）、光通信探测器 环境稳定性强：耐高温、抗辐射、耐氧化、抗干扰，适配航天、军工、户外高频设备严苛工况 晶体品质过硬：位错密度低、平整度高、厚度均匀，外延生长无晶格缺陷，器件良率高
