锗单晶晶体晶片

锗单晶采用直拉法（CZ）/VGF 垂直梯度凝固法原生单晶锭线切研磨加工，遵循国标 GB/T5238-2019 生产，分光学级、外延半导体级、超高纯探测级三大品级，银灰色金属光泽晶体，是红外光学、半导体芯片、航天光伏、光电探测、实验室科研核心基材。

导电类型 & 掺杂

非掺高阻 Ge：ρ＞35Ω・cm，本征锗，红外光学首选

N 型锗（掺锑 Sb）：电阻率 0.01~40Ω・cm，高速器件、光电阴极

P 型锗（掺镓 Ga）：电阻率 0.005~35Ω・cm，PN 结、太阳能叠片衬底

标准晶向：<100>、<111>、<110>，定向精度 ±0.5°；可定制 4°/6°/9° 偏角晶向

尺寸现货（方形 / 圆形晶圆均可）

方片：5×5、10×10、15×15、20×20、25×25mm；厚度：0.3/0.5/1.0/2.0mm

圆片晶圆：1 英寸、2 英寸 (50.8mm)、3 英寸、4 英寸、6 英寸；常规厚度 500μm、625μm、725μm，厚度公差 ±25μm