IIIV族晶体晶片

高纯锑化镓单晶片 GaSb晶圆本征/Te掺杂N型/Zn掺杂P型单双面抛光 <100><111>晶向中长波红外探测激光外延衬底高频晶体管热光伏器件科..

￥2,500.00

高纯锑化铟单晶片 InSb晶圆本征/Te掺杂N型/Ge掺杂P型单双面抛光 <100><111>晶向 3-5μm中波红外探测器外延衬底超高迁移率霍尔传感器磁阻器件高..

￥6,000.00

高纯磷化铟单晶片半绝缘Fe掺杂/S型N型/Zn型P型 InP晶圆单双面抛光 <100><111>晶向光通信激光外延衬底毫米波高频器件科研实验可定制尺..

￥1,200.00

高纯砷化镓单晶片半绝缘/本征/N型/P型 GaAs晶圆单双面抛光 <100><111>晶向高频射频LED激光外延衬底科研实验可定制尺寸一、产品简介本款砷化镓（GaA..

￥500.00

锗单晶采用直拉法（CZ）/VGF 垂直梯度凝固法原生单晶锭线切研磨加工，遵循国标 GB/T5238-2019 生产，分光学级、外延半导体级、超高纯探测级三大品级，银灰色金属光泽晶体，是红外光学、半导体..

￥5,000.00

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