我们生产加工6英寸Prime热氧化单晶抛光硅片 联系人:徐 13918726166（微信同号）
等级：Prime
生长方式：CZ/FZ
直径:200mm+/-0.2mm
导电类型/掺杂 P/Boron N/Phos
晶向：<100> <110> <111>
电阻率（欧姆厘米）： (0.0001 - 0.9 ）/(1 - 10)/ (10 - 100)/ >100
厚度(um)：525+/-15 可定制
氧化层厚度（纳米nm）5nm 50nm 100nm 285nm 300nm 1000nm可定制
氧化层厚度均匀度 < 5%
表面/背面： 抛光/腐蚀 抛光/抛光
表面粗糙度(纳米) ：<0.2纳米 <0.5纳米
整体厚度公差TTV(um)：<8um
平整度TIR(um)： < 3um
弯曲度(um) ：<15um
翘曲度(um)： <20
颗粒：<30@0.3um <10@0.2um
位错:无
晶体缺陷：无
少子寿命(us)：电子级