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高纯砷化铟单晶片 InAs晶圆 本征/N型掺杂 单双面抛光 <100><111>晶向 超高速电子器件中短波红外探测器外延衬底 太赫兹量子器件霍尔传感器 科研..
￥2,500.00
高纯锑化镓单晶片 GaSb晶圆 本征/Te掺杂N型/Zn掺杂P型 单双面抛光 <100><111>晶向 中长波红外探测激光外延衬底 高频晶体管热光伏器件 科..
高纯磷化铟单晶片 半绝缘Fe掺杂/S型N型/Zn型P型 InP晶圆 单双面抛光 <100><111>晶向 光通信激光外延衬底 毫米波高频器件科研实验可定制尺..
￥1,200.00
高纯砷化镓单晶片 半绝缘/本征/N型/P型 GaAs晶圆 单双面抛光 <100><111>晶向 高频射频LED激光外延衬底 科研实验可定制尺寸 一、产品简介 本款砷化镓（GaA..
￥500.00
锗单晶采用直拉法（CZ）/VGF 垂直梯度凝固法原生单晶锭线切研磨加工，遵循国标 GB/T5238-2019 生产，分光学级、外延半导体级、超高纯探测级三大品级，银灰色金属光泽晶体，是红外光学、半导体..
￥5,000.00
我们生产加工 6英寸碳化硅(SiC) 单晶抛光片 联系 徐13918726166 直径 150mm 型号 半绝缘 晶型 4H 6H 微管密度 < 5cm-2..
￥3,561.99
我们生产加工 6英寸碳化硅(SiC) 单晶抛光片 联系 徐13918726166 直径 150mm 型号 P型 晶型 4H 6H 微管密度 < 5cm-2..
￥3,500.00
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